Transistorによる実験では電圧が足りないと判断したので、高周波の三相交流で 5000V は出せるものを製作してみた。 1993年に三相交流で3MHz 5000Vp-pのものが完成した。 発振器は図に示すようにリングオシレーターとし，電界面の傾きを変えられるようにしてある。 パワーMOSFETの1次側で400Vp-p，これを4倍にして3ケのリングコア巻線を直 列にして，4800Vp-pは得られるようになっている。 調整を上手にしないとパワーMOSを飛ばすことがある。 円盤に接続してみると，球形コンデンサーから10cm位のところまでネオン管が 点灯して(ネオン管は空中にかざすだけで点灯する) 相当な高電界であることがわかる。 ただし，ネオン管に素手でさわると感電するので，注意が必要。 うっかりさわって，一瞬にして手から発煙し，1mmの穴があいたことがある。 球形コンデンサーにオシロやテスターのプローブを近づけると数ミリでスパークする。 この時点ではまだパワー不足(周波数が低いため)で計測できるような浮力は得られていない。 PowerMOSは増設して24ケ使用している。製作費用は１０万円だった。





高周波・高電圧の測定
測定するときに球形コンデンサーの電圧を直接オシロで当たると、 電圧が高いためオシロの中でカブリが発生してしまい、電圧も位相も正確で なくなる。また、数MHz　数千Vp-pという測定をしているとオシロを壊す。 入力の減衰器とロータリースイッチが絶縁破壊してくる。 スイッチング電源も影響を受けて故障する。この実験で１台壊れた。 高圧プローブを使いたいがｆ特が悪くて使えない。 プローブのシールド線も繋ぎっぱなしにしていると発熱してくる。 ピックアップコイルを近づける測定が一番無難ではないかと考えている。