リニヤアンプ用PowerMOSによる実験１２




本実験はPowerMOSによる実験１１の延長版である。実験１２として新たなページとした。 10/12/2008

目標
実験１１で得られている超光速の正確な円偏向電磁場にさらに 直角な磁場変調を掛けてスピン(振動)を制御すると第０超平面空間のスピンの一部は 第１超平面空間に移行して投影されなくなることが考えられる。 誘電体のチタン酸バリウムディスクに超光速の円偏向電場 を与え、磁性体のフェライトコアに円偏向磁場を与えて駆動すれば それぞれ位相が９０度ずれてスピンを偏位させられる。 本実験では原子核レベルのマイクロディーンドライブを試す。

製作
下写真のように実験１１の装置とパワーアンプ、低周波発振器を用意した。


磁場変調実験
実験１１の装置で各位相がぴったり合うので試しに磁場変調をかけてみた。 パワーアンプと低周波発振器を用意して 直径8cmの100ターンの鉛直磁場コイルに10〜100Hzで電流を4Ap-p流した。 コイルの真ん中にサイコロ程度のフェライト磁石を近づけると踊るレベルである。 インピーダンスのせいで400Hzくらいになると電流は半分程度になる。 まず、60Hzの設定にしてディスクに乗せると球形コンデンサーの電圧が20Vくらい電圧が下がった。 電流を切ったときも同様だったので、これは導体が近づいたためである。 コイルを持ち上げてずらし真ん中に球形コンデンサー来るようにすると顕著になる。 結局、磁場変調をかけてもディスクの内部はイオン伝導による電磁波である ため効かないし、この電磁波はタキオン化して第１超平面空間に移行しているので 効果は出ないと思われる。 球形コンデンサーの波形は磁場変調しても変わらなかったが、 もう少し検討する必要がある。 実験中にいやな音がしたと思ったら１相目のバイアス電圧が上がらない。 PowerMOSが１つ飛んだようだ。調べたら2番目の素子のゲートがショートしていた。 しかたなく交換した。 9/22
H5A材 T31 μ=3500のリングコアをディスク中央に乗せると球形コンデンサーの 電圧が10Vくらい電圧が下がった。変調コイル電流は4Ap-p 30Hz。 当然、負荷になってすぐに発熱してくる。 μ=3500のため内部の電磁波はチタン酸バリウムディスク(ε=1210)より 大きいため超光速化して負荷となっていると考えられる。 試しに球形コンデンサーの間に置いても電圧降下は起きないし、発熱もない。 そこで、ネオン管で円偏向電磁場の電圧分布をさぐってみた。 半径方向では点灯しないが、円周方向では明るく点灯する現象は 以前よりも顕著になり、精度が向上したことが確認できた。 また、球形コンデンサーの外側の半径方向では点灯しないが、 内側では明るく点灯することもわかった。 9/28
H5A材 T31 μ=3500のリングコアをディスク中央にテグス糸で吊してみた。 木綿糸では撚ってあるためぐるぐる回って実験には不向きだ。 直径8cmの100ターンの鉛直磁場コイルに30Hzで電流を4Ap-p流した。 各相は42.9545MHz 250Vp-pで駆動した。 リングコアはコイルに吸い寄せられるが軽量化はしていないようだ。 負荷になってすぐに発熱してくる。 30Hzを60Hzにしてみたが、ほぼ同様だった。 鉛直磁場コイルの発熱が早い。数分で熱くなる。 直径7cmの200ターンの鉛直磁場コイルに交換して15Hzで電流を4Ap-p流した。 巻き数が多いためこちらのほうが吸い寄せる力が大きい。 なんとなく軽量化しているような感じもするが。 FT240-#77材 μ=2000に交換してみたが、H5A材のほうが 現象がはっきりしている。 10/05
鉛直磁場コイルに低周波電流を流すと、スピンの円錐は 上を向いたり、下を向いたりすることになる。 制御していることにはなるが、あまり意味のない動作である。 そこで、直流を重畳させてスピンの円錐が0-90度方向(0:水平)で振れるようにしたい。 しかし、パワーアンプにはDCドリフトの保護回路があり、 瞬間的に遮断されて動作停止するようになっている。 そこで、別の鉛直磁場コイルを用意し、 直径8cmの100ターンのコイルに直流を1A流した。 さらに直径7cmの200ターンの鉛直磁場コイルに15Hzで電流を4Ap-p流した。 今回の磁場変調の実験のためにディスク下部のFT240-#61材を取り外し、 H5A材のリングコアをディスク中央にテグス糸で吊してみた。 すると球形コンデンサーの電圧が20Vくらい電圧が上がった。 すぐに発熱してくるはずだが、今回は発熱しない。 電圧が上がるということは負荷になっていないことになる。 考えてみると、外す前の機関にはFT240-#61材とH5A材が混在していた。 つまり、言い換えれば波速がまちまちになっていた。 そのため異常発熱していた。これでは理想の動作とは違っている。 そう考えると、ディスクそのものにも問題があることがわかった。 すなわち、半径方向で角速度が揃っていない。 球形コンデンサーの外側と内側で、波速が違う。 そのためネオン管が内側では明るく点灯するということがある。 材質は均一のため外側と内側で、角速度が違い、 電子(タキオン)束が内側から外側へ直線状ではなく長刀状になっている。 そうなれば、これを補おうとして 不平衡電流が内側から外側へ流れ、ディスクの異常発熱につながっている。 高周波の損失もあるだろうが、これで異常発熱の原因がわかった。 さらにPowerMOSもこういう不平衡電流に攪乱されて、 無理な動作を強いられている。それだから破損しやすいということが あるようだ。単にチタン酸バリウムディスクに円偏向電場をつくるだけ、 ということだが、実際はそう簡単なことではない。 無線のアンテナなどとは訳が違い、高度な技術が要求される。 実験７で半径方向に誘電率が変わっていくチタン酸バリウムディスクが考えられる と書いたが、まさしくその通りである。ディスク製作はさらに難しいと思う。 誘電率が違えば成分が違い、焼結したときの収縮率も変わってくるため、 おそらく歪んでヒビが入るだろう。 これまた、高度なセラミック製造技術が必要だ。 うまくできれば半径位置によらず同一の角速度で電荷を回すことができるが。 フェライトコアは内側にあるため透磁率がディスクよりは大きい必要がある。 10/12
確認のため100μH のインダクターでディスクの漏れ磁束を探ると 球形コンデンサーの外側と内側で位相が0.35nsec違うことが判明した。 当然、外側の位相が遅れている。1.5%であるが、 強誘電体内部での電圧勾配は約9Vくらいになる。ディスクは 100Ωくらいだから電流は0.1Aになり球形コンデンサーは３つあるから 0.3Aが不平衡電流と推定される。結構、大きい数値だ。 次に、フェライトコアをディスク中央に近づけ、 球形コンデンサーの内側で位相が変わるか確認したところ、 やはり、補正される方向であった。補正の度合いは0.2-0.3nsecで、 H5A材よりもFT240-#77材のほうが良かった。大きさが効いているようだ。 アダムスキー型円盤のディスク中央には穴があり、 コア穴直径も10√2にしていて、以外と小さい。 おそらく、本機と同様の数％の不平衡電流が流れるはずなので、 フェライトコア等でうまいこと補正しているのだろう。 電圧が上がった理由は２つあり、１つはディスクより大きい透磁率の フェライトコアによって内側の電子束が遅延して補正が掛かり 内側から外側への不平衡電流が減った。 ２つ目は円偏向電場にフェライトコアによって円偏向磁場が 強化されベクトル加算された。 これは変圧器の鉄芯が増加したことに相当する。 10/19
フェライトコアを追加すると電圧が改善して円偏向電磁場が 強化されることはわかったが、従来から問題としていた ディスクの上側と下側で発熱度合いが違うのは未調査になっている。 そこで、上側と下側にリングコアをディスク中央にテグス糸で吊してみた。 やはり、下側に置いたときの発熱は大きい。10mm程度の隙間があった ほうが現象が強い。密着させるとそうでもないが発熱はする。 #77材では駆動1分で触れない程の発熱がある。電圧も40Vp-p程度下がる。 現状は電源供給線の銀メッキテフロン線2.0□を１つにして磁気柱底部に集め、 そこから負荷コイルへ通電している。(虚磁荷ケーブル相当) これが影響しているのではないかと思い、ディスクの外側へ配線を移動した。 20Vp-p程度は改善したが、傾向は変わらない。 下側には空芯コイルから球形コンデンサーへの配線があり、 こっちのほうが電気的な結合度は高いと思う。 確認のため球形コンデンサーの上下で電圧を見ると、むしろ上側のほうが高く どの相も20Vp-p程度は高い。これでは理屈とは合わない。さらに追求が必要だ。 10/26
リングコアに銀メッキテフロン線0.75□で部分的に３ターンの巻き線をして、 ディスク中央にテグス糸で吊してみた。上側では解放電圧20Vp-pであった。 下側はその５倍の100Vp-pだった。構造的に上下対称のはずだが、 これだけの差は異常だ。そこで、円周方向で違いがないか調べると リングコアを360度回せば位相も同様に変化した。 つまり、リングコアとしての起電力はなく、部分的な電磁効果で 電圧が発生している。それぞれの極で発生している電磁場が リングコアでトランスを形成しているようなものだ。 極端な話、三相電圧を短絡していると考えても良い。 それで異常な発熱となっていた。 上側と下側の差を調べるために １相目と２相目のプリドライバーの配線を入れ替えて 円偏向電磁場の回転方向を逆にしてみた。 しかし、下側の電圧が５倍も高い現象はまったく変わらない。 11/02
下側の電圧が高い現象は直径5mmの5ターンの 空芯コイルでディスクの漏れ磁束を探るとやはり電磁場が強いことがわかった。 100μH のインダクターではコアがあったため分かりにくい。 ディスク中央の穴でコイルの向きを変えれば位相も変化する。 これだけの狭い空間で位相がガラガラ変わるのは普通の機器ではあり得ない。 球形コンデンサーへの給電は下側からなので、やはり下側が強いものと思う。 しかし、下側の球形コンデンサーの電圧が-20V低いという現象はある。 FT240-#77材のリングコアをディスクの下側に貼り付け、さらに上側に載せても 補正は0.2nsec掛かかり、電圧も20V高くなって効果がある。 しかし、下側の発熱が異常なので、下側は取り外した。 重力場に対して姿勢差があるのかディスクを90度立てて実験してみたが、変化はなかった。 11/09
下側の球形コンデンサーの電圧が低いという現象が超光速化によるものか 確認してみた。まず、電圧依存性があるか１相目で300Vp-pと200Vp-p にしてみるとその差は60Vと40Vだった。電圧に比例して直線的に大きくなる。 今度は周波数を45MHzと41.5364MHzにしてみたが、大きな違いはなく、 200Vp-pでは40Vだった。球形コンデンサーの電圧は半径方向では外側が10V小さく、 上下方向ではディスクに近いほうが低い。試しに銅のシャフトを六角の 金属サポター複数で10cmまで延長してみるとディスクから遠くなると 電圧が20V高くなる。これらの現象は超光速化(ブラックホール化)によって 我々のいる第０超平面に投影されなくなって、電圧低下したのかも知れない。 11/16
超光速化を強くするためにFT240-#77材のリングコア穴に小さな 別のリングコアを入れてみたが、効果なしだった。 H5A材の大きいリングコアを上に追加してみたが、これも効果なし。 鉛直磁場コイルの替わりとして厚さ7mmのフェライト磁石を３つ 上に載せたが目立った変化はない。 直径10mm×120mmの長さのフェライトの丸棒でディスクを探ってみた。 上に載せてもほとんど効果なしだが、下側に近づけると50Vp-pも変化する。 調べてみると電荷は反時計方向に回転しているが、 半径方向にフェライトの丸棒を差し込むと、 風上に置けば電圧は下がり、風下に置くと電圧が上がることがわかった。 しかも、フェライトの丸棒はすぐに発熱する。 この丸棒の材質は不明だが、H5A材のようなものと思われる。 別の5mm×28mm×64mmのフェライトタイルで試しても同じだった。 おそらく長刀状の電荷が補正されて電圧が上がったものと考えられるが、 もっと調べる必要がある。アダムスキー型円盤の球形コンデンサーの 周りにも別の材質のものが貼り付けられている。 また、ディスクの下に置いてある負荷コイルはディスクの 影響が大きいはずなので、この設置位置も検討を要する。 11/23
負荷コイルをディスクの外縁にかからないように 巻き線を延長して設置した。 配線が長くなったためか20Vくらい電圧が下がった。 ここでフェライトの丸棒でディスクを探ってみた。 やはり下側の球形コンデンサーの風下に近づけると30〜40Vp-pも変化する。 そこで、フェライトタイルをハンマーで割って幾つかの破片を 割り箸に接着して探ると球形コンデンサーの内周の風下が最も効果が出る ことがわかった。２相目では50Vp-pも変化する。 不平衡電流が減ったためだろう。しかも消費電流も1A下がる。 駆動中のやや汚い波形のときもフェライトタイルを近づけると波形がきれいになる。 この50Vp-pという数値は不平衡電流がかなり大きいことを意味している。 PowerMOSは相当無理な動作を強いられている。 だからちょっとしたことで破損してしまうのだ。 11/30
フェライトの丸棒でさらにいろいろ探ってみた。 最終的に球形コンデンサーの引き出し線にフェライトタイルを 付けると最も効果が大きいことがわかった。 割ったフェライトタイルでは不安定なので、 トロイダルコアを複数買い求めた。 内径8mm程度で透磁率がμ=1500,200,125,30というものである。 これらを引き出し線に入れて試したところ、なんと電圧が出ない。 どれもインダクタンスが大きすぎたようだ。 発熱するかどうか指先で触ってみたところやけどした。 すごい勢いで発熱している。 EMC対策用のフェライトコアがあったが、そのままでは 噛ませられないので、外してテープで巻いて噛ませてみた。 やはりインダクタンスが大きすぎ電圧が出ない。 片側だけにしてみたが、μが高い物なので発熱して キュリー温度に到達して電圧が上がらない。 もっと低いμのトロイダルコアが必要だ。 もともと球形コンデンサーの引き出し線は延ばすことができないが、 これにインダクタンス成分を与えればディスクの容量負荷を軽減できる ものとみられる。 この状態でついでに買い求めたフェライトタイルを 下側の球形コンデンサーの風下に近づけるとさらに電圧は上がったので、 不平衡電流は存在する。 12/07
低いμのトロイダルコアを買い求めた。 カーボニル鉄のコアでμ=3.5というものである。 内径7.7mmものもを引き出し線に入れて試したところ10V程度電圧が 上がった。しかし、効果としては少なく、コア容量が小さくて 発熱もしてくるのでいまいちであった。 コア容量とμの大きさが効くので、EMC対策用のフェライトコアも ついでに買い求めておいた。 ちくわ状で縦に２つに割った27×26mmで厚みが6mmのものである。 これをケースから取り外し引き出し線にかぶせると ２相目では50Vp-pも上がった。これで300Vp-pに達した。 当然、位相も変化するが、今度は３相目の電圧が落ちた。 もう少し検討すればバランスの良いところがあるだろう。 アダムスキー型円盤では球形コンデンサーへの虚磁荷ケーブル はチタン酸バリウムディスクとフェライトプロックの間を 通している。この構造は今回の実験結果と合致している。 12/14
全相にEMC対策用のフェライトコアを取り付けるため 空芯コイルから球形コンデンサーへの配線を一旦はずして まとめ再度半田付けした。そのフェライトコアの片割れを 球形コンデンサーの引き出し線にかぶせて駆動してみた。 １，２相目は300Vp-p以上あるが、３相目の電圧が200Vp-pちょっと低い。 ２相目に引っ張られているようで、位相がずれたためと思われる。 フェライトコアはインダクタンスとして働くので、 位相は遅れる。コア容量や取り付け方を調整すると 三相交流の位相はほぼ合う。もう少し検討が必要だ。 12/21
フェライトコア３つを球形コンデンサーの引き出し線にかぶせて みたが、３相目の電圧が低くなる。やはり、２相目だけにすると 三相交流の位相も合い、各相280Vp-p駆動ができる。 もう少し上げられないかと思い、２相目で使っていない素子の ベース配線をはずしてみたが、逆効果で位相が合わなくなってしまった。 元に戻した。駆動するとディスクに蓄熱してくるため位相がずれてくる。 12/28
スピン制御の確認として、リングコアをディスクから 接着を外して重量変化を測ってみた。 コア材を水平に保つのが難しいが、テグス糸で吊しディスクとの隙間が 1mmになるように調整しこれに輪ゴムをつなぎ通電した。


各相280Vp-p駆動で、直径8cmの100ターンのコイルに直流を1A流した。 さらに直径7cmの200ターンの鉛直磁場コイルに15〜50Hzで電流を3Ap-p流した。 輪ゴムのつなぎ目が物差し上で動くか確認してみた。 ２つのコイルに電流を流せば吸い上げられるため1mmくらい上がる。 次に三相交流を印加したが、このときに変化は無かった。 リングコアはFT240-#77材μ=2000、FT240-#61材 μ=125、H5A材 T31 μ=3500 を付け替えた。 #61材なら超光速化しないため鉛直磁場でスピン制御が効くかと 思ったが変化は無かった。#77材とH5A材ともスピン制御は効かない結果だった。 01/04/2009

この実験での結果1/04/2009
  1. 10〜100Hzで磁場変調をかけてもディスクの内部はイオン伝導による電磁波である ため効かなかった。電磁波はタキオン化して第１超平面空間に移行しているので 効果は出ない。
  2. 球形コンデンサーの波形は磁場変調しても変わらなかった。
  3. 変調磁場に静磁場を重畳させたが変わらなかった。
  4. リングコア(フェライトブロック)は鉛直磁場コイルに吸い寄せられるが軽量化はしていない。
  5. リングコアをディスク中央に乗せると発熱してくる。 μ=3500のため超光速化して負荷となっていると考えられる。
  6. ディスクの半径方向で電荷の角速度が揃っていない。 球形コンデンサーの外側と内側で位相が0.35nsec違うことが判明した。 不平衡電流が内側から外側へ流れ、ディスクの異常発熱につながっている。 リングコアをディスク中央につけると補正される。
  7. リングコアは内側にあるため透磁率がディスクよりは大きい必要がある。
  8. ディスク下側の電圧が高い現象は球形コンデンサーの引き出し線の漏れ磁束だった。 下側のコアは取り外した。 この引き出し線にフェライトタイルを付けると50Vp-pも上がった。 アダムスキー型円盤では球形コンデンサーへの虚磁荷ケーブル はチタン酸バリウムディスクとフェライトプロックの間を 通している。この構造は実験結果と合致している。
  9. 球形コンデンサーの引き出し線にインダクタンス成分を与えれば ディスクの容量負荷を軽減できるものとみられる。
  10. 球形コンデンサーの電圧は半径方向では外側が10V小さく、 上下方向ではディスクに近いほうが低い。ディスク中央から遠くなると 電圧が高くなる現象は不可視化(ブラックホール化)と思われる。

考察
今回の実験結果についてはよく考察する必要がある。 結局、磁場変調をかけても効かなかった。 ディスクの内部についてイオン伝導による電磁波と思うが、 これは今後確認する必要がある。 また、超光速化して第０超平面には投影されなくなってブラックホール化 の傾向はあるようだ。 ディスク内部の電子または電磁波は角速度を持った円偏向(曲がった電波)であり、 直線的なものでないため放射損失があると推定できる。 これによってディスクが発光するはずであるが、そこまで至っていない。 しかし、この損失によって異常発熱することはあるだろう。 球形コンデンサーも発光するほどではない。 三相交流の高周波電力不足は考えられる。 01/13
駆動装置の問題として２相目の電圧が低いと言う問題を引きずっており、 球形コンデンサーと回路の物理的な配置に帰着する。 ２相目が１−３相目に比べて不利な配置になっていため電圧が上がらず、 これ以上検討しても難しいと判断する。 01/25
超光速の円偏向電磁場に磁場変調を掛けてみたが、まだ磁場強度が足りないか、 他にも条件が必要な気がする。 核電気共鳴を拡張した考え方として、第０超平面空間のスピンの一部は 第１超平面空間に移行して投影されなくなるといった 原子核レベルのマイクロディーンドライブは充分期待できる。しかし、 最初に核電気共鳴が実証されて確認してからの話であって、 時間軸制御に近いタイムマシーン級の実験と思う。 今後の展開としては駆動装置のトランジスター配列を ディスクの下のインライン配置をやめて、球形コンデンサーの近傍に移す。 発振回路等はディスクの下の中央に配置し、鉄板でシールドする。 鉛直磁場コイルをもっと大きな物へ更新する等で進める。 02/01


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