０＜Ω＋αＨo
これまで清家理論に基づいたアダムスキー方式のまともな検証は誰も行っていない。
実験１
本機はトランジスターによるリング型発振器と各相PowerMOS１個による駆動回路 を改装したものである。コイルはメビウス巻き４ターンとした。 今まで正確な三相にならない問題を克服するためアースを強化した。11/26/2000 発振周波数は理論の指定通りの34MHz とした。 発振器やドライバー、PowerMOS を含め宇宙機全体としてわりと正確な円偏向電磁場が得られている。 写真のごとくPowerMOSのドレイン電圧は20V ちょっとである。三相交流として各相10nsec のずれがある。 電源電圧は60V。4/8/2001
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実験２
下写真はコンデンサーコイルを本体側に組み込み フェライトリングコアでも円偏向磁場が発生するようにしたものである。三相発振器も組み替えた。
インピーダンス整合
球形コンデンサーとPowerMOSの間に半固定抵抗をはさみ電圧が半分になる ところの抵抗を求めた。すると24MHzで200Ωであった。 PowerMOSの出力インピーダンスはもっと低くなっているので、マッチング を取る必要がある。伝送線路トランスで約４倍(120Ω)にしてみた。 すると、１相だけのテストでは予想通り２倍の球形コンデンサー電圧 80Vp-pが得られた。単相で３つの回路の同相駆動では100Vp-pであった。 ところが、三相交流にしてみると16Vp-pになってしまう。 こんな現象はアンテナなどの整合では発生しない。 やはり、各相はチタン酸バリウムディスクを通して合成されてしまうためと 考えられる。単純なインピーダンス整合で電圧アップというわけにはいかなかった。
改良
球形コンデンサーに発生する電圧が最大になるような周波数を探していくと 25MHzあたりが良いことが判明した。そこで駆動する波形が汚いので改良を加えた。 まず、三相発振器の波形を整え定数変更した。さらにドライバーにヒートシンクを追加して 電流をアップした。エミッタ抵抗変更で、PowerMOSドレイン電圧40Vp-pになり、 球形コンデンサー電圧 30Vp-pが得られた。波形も正弦波になった。 観測するとドレインと球形コンデンサー電圧の位相はまったく逆になっている。 たった３３ｃｍの電線で両端の位相が逆だ。こんな現象は始めて経験する。 この周波数では１波長は10m だからこの長さではこういう現象はおかしい。 電流だって１Ａ以下だから電線のインピーダンスが問題になるほどではない。
位相ずれについて
33cm の赤の電線の被覆を取って裸線にして観測してみた。 すると、真ん中で電圧がなくなって０近くになっている。 つまり、両端の電圧が最大になっている。 試しに電線を21cmにしてみた。それでも起こっている現象は変わらない。 このことから、波長とは関係はないということがわかる。 そこで、インピーダンスが効くのではないかと考えて、電線を３倍の太さの ＡＷＧ１８番線(AC100V用の電源コードと同じもの)にしてみた。それでも現象は変わらない。 この位相ずれは駆動周波数が5MHz では発生せず10MHz では15nsecになり 25MHzで20nsecであった。回路の位相遅れかどうか、全相を同相で駆動してみたら 位相遅れはまったく発生しない。三相交流のときのみ位相遅れが発生し、他の二相の バイアス電圧を下げて０にしても電圧のある一相は同じ位相遅れが発生する。 他の二相の配線を外すと位相遅れはなくなり、全部の球形コンデンサーの電圧が等しくなる。 高周波の三相交流でチタン酸バリウムディスク中に円偏向電磁場を作ると 非常に特殊な現象が発生するようだ。実験をしていると、ふと、地球の 遺伝子の実力を試されているような気がする。
３相交流の精度も良くなった。
球形コンデンサー間の伝搬の考察
球形コンデンサー間には伝搬時間が存在して上記の観測結果から26MHz の 相関位相差は12.8nsecであり、球形コンデンサー間距離が90mm だから 伝搬速度を計算すると7020km/sとなる。これは光速度の2.3% に当たる。 一般に媒質中の電磁波の伝搬速度は下記に沿う。
εo=8.85418782×10の-12乗F/m(物理定数表より)
μo=1.25663706×10の-6乗H/m 〃
c=2.9979245813099601587871137116121×10の8乗m/s(単なる計算で9桁まで信頼できる)
ε =1210(当方のチタン酸バリウムディスクの納入データ)を当てはめて計算すると
V=0.0861842721×10の8乗m/s これは光速度の2.87% になる。秒速8618kmが限界速度ということになる。 チタン酸バリウムの電子の移動はイオン伝導によるものだから実験値もだいたい合う。 大型のチタン酸バリウムディスクになると伝搬速度が問題になるので周波数は 上げられないことになる。 一方、導体の球形コンデンサーの大きさの中で複数の定在波が存在する ことはあり得ないので、あまり高い周波数は使えないということになる。 円盤の直径を100とすれば、球形コンデンサー直径:10.5であったので、 人間が搭乗できるような直径が15.5m の円盤の場合、球形コンデンサーは1.63m になる。 球形コンデンサー直径(電圧は均一と定義)の中で位相ずれは30°までしか 許容できないとすれば、1/12 波長ということになり１波長は19.56mとなる。 周波数にすると(V=秒速8618kmを使って) 440614Hzすなわち440kHz というものになる。 これは球形コンデンサーの大きさから算出したものであるが、 アダムスキーの円盤図からは球型コンデンサー中央間の円周は28.1m と 思われるので、306kHzと計算できる。どちらも似通った数値になる。 当方の小型の円盤では球型コンデンサー中央間の円周326.7mmであったので、 26380247Hzすなわち26.38MHzになる。34MHzでは１波長以上になってしまい 定在波が発生せず電圧が少ないといった現象だったと理解できる。 ちなみに宇宙研で頒布していた直径100mmのディスク場合、球型コンデンサー中央間の 円周が約213mmになり、ε =1210であれば周波数は40.46MHzになる。 低周波や他の高周波での実験はチタン酸バリウムディスクを使う限り 定在波が発生しないので意味のないものと考える。 今まで34MHzの実験(超相対性理論に記述されていた数値)にこだわり続けたことは 無駄ではなかった。
【今回の実験による結論】
- 超相対性理論に記述されていた高周波(34MHzの実験)の円偏向電磁場による 逆重力は検出できなかった。供給電圧が低く、電磁場が弱いという問題も残る。
- チタン酸バリウム(ε =1210)中の電子の速度は秒速8600kmであった。 強誘電体を採用することにより、電子の速度は遅くできることが判明した。 比較的低い周波数の円偏向電磁場でも光速が実現できる。
- ディスクには定在波が発生し、球型コンデンサーが３つであれば ただ１つであることがわかった。
- 円偏向の光速度になる臨界周波数は大型のディスクになると比例して低くなることも解った。 人間が乗れる大きさでは300～400kHz程度になる。
- チタン酸バリウムディスクの比誘電率とフェライトブロックの比透磁率は 円偏向電磁場の伝搬速度を同じにするため同じにする必要がある。
【超光速ゾーンへの突入】
26.38MHzがチタン酸バリウムディスクの中ではちょうど光速度、誘電体中 の電磁波の伝搬速度だ。さらに周波数を上げることは簡単なので、 8fsc=28.636MHzの水晶発振で実験をした。 この場合、ディスクの中ではすでに『超光速』だ。第一超平面で運転していることになる。 一般に粒子加速器では内部にある粒子を加速するわけだが、光速度を超える 駆動を行っても粒子がついてこなくなり脱調が起こる。 この実験の場合は周回路は真空ではなく、『誘電体』であり 空間圧縮されて装置が超小型であるため強大な電磁場は必要としない。 しかも外にある電磁波＝粒子？を３つの電極で駆動することになるため脱調はない。 強制的に光速度を超えてトンネル電磁波が周回しているはずだ。 事実、さほど電圧も下がらずトンネル電磁波は発生している。 机上で『超光速』が実現されているのだ！
【ちょっとした改良】
60～8MHzの水晶発振子や水晶発振器を購入した。まずは32MHzで水晶発振の ３相交流発振器を運転したが、この発振波形が良くなくて1/4,1/8の成分が 多く、波形に混変調が15%くらいかかってしまう。 そこで32MHzの水晶発振モジュールを使ってみたが、これはもっと悪くて使い物に ならない。なにしろ内部をいじれないし、電源の問題でもなくて諦めた。 しょうがないので発振回路の定数を変更し、さらに出力を トラップ型のフィルターで除去して5%程度まで低減させた。
2SK1500を試しに購入して、使ってみたが遅くてダメだった。 資金の無駄使いに終わった。あまりドレイン電流が取れるタイプはダメなようだ。 今回のPowerMOS １ケドライブの結果として32MHz=1.2C (光速度の1.2倍)でPowerMOSドレイン電圧70Vp-p、 球形コンデンサー電圧 40Vp-pが得られた。この装置ではこれ以上は無理だろう。 チタン酸バリウムディスクに入力された電力は10～30W 程度で、 超光速トンネル電流の密度は0.1A/c㎡程度でしかなく、さらに大きな 入力電力が必要と思われる。 PowerMOSによる実験１で使った装置を組み替えて さらにパワーアップを狙う。08/12/2001